第三代HBM2E显存公布:阵脚带宽增加33%至3.2Gbps、三星拿下首发
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第三代HBM2E显存公布:阵脚带宽增加33%至3.2Gbps、三星拿下首发

来源:http://nemoms.com 作者:皇冠官网地址 时间:2020-02-07 点击: 188

  本周,固态存储协会(JEDEC)发布第三版HBM2存储标准JESD235C,将针脚带宽提高到3.2Gbps,前两版中依次是2Gbps、2.4Gbps,环比提升33%。

  按照设计规范,单Die最大2GB、单堆栈12Die(无标准高度限制),也就是24GB容量,匹配1024bit位宽,单堆栈理论最大带宽410GB/s。对于支持四堆栈(4096bit)的图形芯片来说,总带宽高达1.64TB/s。

  第三代HBM2的电压和上一版一致,为1.2V,比第一代的1.35V有所下降。

  简单比较下,常见高端独显采用的256bit GDDR6,按照14Gbps的阵脚带宽计算,总带宽448GB/s,也就是第三代HBM2一个堆栈的水平。考虑到HBM2更容易扩充总线宽度,GDDR6过犹不及,况且单堆栈最大容量就能达到24GB,四堆栈直逼100GB。

  事实上,3.2Gbps的第三代HBM2早先已经由三星和SK海力士提出,并更名为HBM2E,这种说法也得到了JEDEC默认。

  在JESD235C标准发布的同时,三星宣布,名为Flashbolt(前两代名为Flarebolt和Aquabolt)的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片将在上半年量产,单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die通过8层堆叠而成。

  三星的第三代HBM2E甚至支持超频,单针脚可加速到4.2Gbps,单堆栈最大带宽从而升至538GB/s。



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